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IGBT芯片项目、奥特莱斯项目落户高新区
来源:  发布时间:2016-12-21  浏览次数:

12月14日,高新区管委会与国家计划千人专家李伟团队共同签署了IGBT芯片项目。项目总投资10亿元人民币,主要研发、生产电力电子所需功率半导体系列产品:第一类是功率芯片,主要为IGBT芯片,Power MOSFET芯片和用于驱动功率器件的驱动芯片;第二类是功率模块,包括IGBT模块,智能模块(IPM),与其它功率模块(Power MOSFET,晶闸管)等。五年项目全部投产后,实现销售收入不低于60亿元人民币,实现利润不低于25亿元人民币。

12月15日,衡信柏迪控股有限公司与高新区管委会签署了奥特莱斯项目协议。该项目计划拟投资10亿元,占地80亩,将引进国内外有影响力的品牌不少于200家,其中国际一、二线品牌不少于70家,全部投入运营后年销售额达20亿元。


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